سامسونج تصدر أول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR4 بسعة 8 جيجابايت

عمّان، الأردن (تشرين الثاني 2016) – أعلنت سامسونج الكترونيكس عن إصدارها لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR4 بسعة 8 جيجابايت في القطاع، والتي من المتوقع أن تسهم في تحسين تجربة المستخدم بشكل لافت، خصوصاً لؤلائك الذين يستخدمون أجهزة ذات شاشات كبيرة بدقة عالية. وتستخدم ذاكرة DRAM 4 وحدات من رقائق الذاكرة الأحدث التي تأتي كل منها بسعة 16 جيجابت، إضافةً إلى استخدامها تقنية التصنيع المطورة 10 نانومتر.

وبالتعليق على ذاكرة DRAM الجديدة، قال جو سان شوي، نائب الرئيس التنفيذي لمبيعات الذاكرة والتسويق في سامسونج الكترونيكس: "ستسهم ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة والقوية بسعة 8GB من تمكين الجيل القادم من الهواتف الخلوية الرائدة حول العالم بقدرةٍ أكبر" وأضاف بالقول: "سنواصل العمل على تزويد السوق بحلول الذاكرة المطوّرة التي تقدّم أعلى قيمة وأفضل الفوائد لتلبّي الاحتياجات المتزايدة للأجهزة التي تملك كاميرا ثنائية، وميزات تشغيل UHD بدقّة 4K والواقع الافتراضي (VR)”.

وتعمل ذاكرةLPDDR4  الجديدة ذات سعة 8 جيجابايت بسرعة 4266 ميجابت في الثانية، مما يعني أنها ستكون أسرع مرتين بالمقارنة مع ذاكرات DDR4 DRAM المستخدمة في الحواسيب الشخصية والتي تعمل بسرعة 2133 ميجابت في الثانية فقط، الأمر الذي يتيح نقل البيانات بسرعة هائلة تصل إلى 34 جيجابايت في الثانية؛ وذلك عند توصيل هذه السرعة عن طريق ممر 64 بت.

وفي حين أن هنالك العديد من الكمبيوترات المحمولة فائقة النحف تقوم باستخدام ذاكرة DRAM بسعة 8 جيجابايت، إلا أن ذاكرة سامسونج LPDDR4 التي تحمل نفس السعة، 8 جيجابايت، ستساعد الجيل القادم من أجهزة الهواتف على الاستفادة القصوى من قدراتها العالية. فعلى سبيل المثال، سيساعد تمكين الأجهزة اللوحية بذاكرة LPDDR4 بسعة 8 جيجابايت على تشغيل البرنامج الافتراضي والفيديوهات فائقة الوضوح بدقة 4K بسلاسة أكبر، وتشغيل ميزات مشهورة أخرى للعديد من الكمبيوترات المحمولة عالية الأداء.

وتوفّر ذاكرة سامسونج LPDDR4 DRAM ذات سعة8 جيجابايت، كفاءة أكبر بكثير في استهلاك الطاقة بفضل استخدامها لأحدث تقنيات المعالجة بسعة 10 نانومتر، إضافةً إلى استخدام تصميم الدارات منخفضة الطاقة الخاصة بسامسونج، حيث يتيح تصميم الدارة لرقاقة الذاكرة أن تضاعف قدرة الذاكرة DRAM ذات سعة 4 جيجابايت من فئة 20 نانومتر، مع استهلاك نفس كمية الطاقة.

وتأتي ذاكرة LPDDR4 بشكل ثلاثي الأبعاد بمساحة 15 مم في 15 مم في 1 مم، الأمر الذي يتناسب مع حجم أجهزة الهواتف الجديدة الرفيعة. إذ أن استخدام ذاكرة DRAM الأنحف من 1 مم يسمح بتكديسها جنباً إلى جنب مع ذاكرة UFS أو معالج تطبيق الهاتف، حسب ما يفضلّه المصنّعون، لتوفير مساحة على لوحة الدارة المطبوعة.

وفي شهر آب من العام الماضي، قامت سامسونج بالكشف عن أول ذاكرة LPDDR4 DRAM بسعة 12 جيجابايت ومساحة  20 نانومتر. وبعد فترة تطوير دامت 14 شهراً فقط، عادت سامسونج لتقدّم أول ذاكرة LPDDR4 DRAM 10 نانومتر بسعة 16 جيجابايت وحل الذاكرة الجديد LPDDR4DRAM بسعة 8 جيجابايت؛ الأمر الذي سيسرّع من عملية إطلاق الجيل القادم من أجهزة الهواتف والتي ستحتوي على أداء متطورٍ أكثر.

كما ستستمر سامسونج بتوسيع عملية الإنتاج لذاكرة DRAM التي تستخدم تقنية المعالج ذات 10 نانومتر. فقد عملت الشركة على تصنيع ذاكرات DRAM 10 نانومتر على العديد من الصناعات الرائدة، كما أنها تخطط لاستخدام هذه التقنية أيضاً في صناعات أخرى في المستقبل القريب لتلبي الطلب المتزايدة على ذاكرة DRAM المتطورة وذات الكثافة العالية.